IRFP4668PBF

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项目案例

项目描述

包装：Tube；零件状态：Active；FET 类型：N-Channel；技术：MOSFET (Metal Oxide)；漏源电压（Vdss）：200V；电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：130A (Tc)；驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V；不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA；不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：241nC @ 10V；不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10720pF @ 50V；Vgs（最大值）：±30V；FET 功能：-；功率耗散（最大值）：520W (Tc)；不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.7 mOhm @ 81A, 10V；工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)；安装类型：Through Hole；供应商器件封装：TO-247AC；封装/外壳：TO-247-3；标准包装数：25；

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